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技術專題
用于功率轉(zhuǎn)換的新型增強型柵極驅(qū)動器
用于功率轉(zhuǎn)換的新型增強型柵極驅(qū)動器
通過消除復雜的柵極控制和電路布局挑戰(zhàn)，簡化了使用寬帶隙GaN功率半導體的設計。
它集成了兩個具有225mΩRDS（on）的對稱650V氮化鎵（GaN）功率晶體管，以及優(yōu)化的柵極驅(qū)動器和電路保護，可簡化高達200W的高效功率轉(zhuǎn)換應用的設計。
3.3V至15V的輸入電壓容差允許通過將封裝直接連接到霍爾效應傳感器或CMOS器件（例如微控制器，DSP或FPGA）來控制MasterGaN4。
利用GaN晶體管卓越的開關性能所帶來的更高工作頻率，以及提高的效率來降低散熱，設計人員現(xiàn)在可以選擇小型磁性元件和散熱器，以構建更緊湊，更輕便的電源，充電器和適配器。
MasterGaN4非常適合用于對稱半橋拓撲以及軟開關拓撲，例如有源鉗位反激式和有源鉗位正激式。寬電源電壓范圍為4.75V至9.5V，可方便地連接到現(xiàn)有電源軌。內(nèi)置保護功能進一步簡化了設計，包括：
門驅(qū)動器互鎖
低側和高側欠壓鎖定（UVLO）
過熱保護
還有一個專用的關斷引腳。
意法半導體還推出了專用的原型板（EVALMASTERGAN4），該板提供了一套完整的功能，可通過單個或互補的驅(qū)動信號來驅(qū)動MasterGaN4。還提供了一個可調(diào)的死區(qū)時間發(fā)生器。該板可靈活地施加一個單獨的輸入信號或PWM信號，插入一個外部自舉二極管，分離邏輯和柵極驅(qū)動器電源軌，以及使用一個低側并聯(lián)電阻器來實現(xiàn)峰值電流模式拓撲。
MasterGaN4現(xiàn)在采用9mm x 9mm x 1mm GQFN封裝生產(chǎn)，爬電距離超過2mm，可在高壓應用中安全使用。