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單片機開發(fā)開關穩(wěn)壓器：當所有東西都在芯片上時
開關調節(jié)器可以整體或通過控制器構造。在一個單片開關穩(wěn)壓器，所述各功率開關，通常的MOSFET中，在單個硅芯片內集成。對于控制器，除了控制器IC外，還必須分別選擇和放置功率半導體。
MOSFET的選擇是耗時的，需要一定的了解的的參數開關的，一些設計師不必處理使用單片設計時。另外，與高度集成的解決方案相比，控制器解決方案通常在板上占用更多的空間。
因此，這也難怪，在幾年， ever-更多的開關穩(wěn)壓器已被單片執(zhí)行。今天，有一個大的選擇的西裝能夠提供解決方案，甚至對更高功率。圖1示出了整體式的降壓轉換器上的左側和一個控制器溶液上的右側。
1.所示為單片降壓轉換器（左）和帶有外部開關的控制器解決方案（右）。
單片穩(wěn)壓器與控制器
而 單片 解決方案 需要更少的空間，并在設計過程被簡化，一個優(yōu)點一個的控制器解決方案是更靈活性。設計者可以選擇最優(yōu)化，應用程序特定的可切換的控制器的解決方案，而且也進入門，用于開關，使得開關的邊緣被影響與聰明就業(yè)的無源部件。此外，控制器解決方案特別適合高功率 因為大的離散開關可以被選擇和切換損失消散從熱分離的控制器 IC。
但是，除了支持或反對 整體解決方案的這些眾所周知的論點外，通常不會考慮另一方面。在開關穩(wěn)壓器中，所謂的熱環(huán)路對于低輻射發(fā)射至關重要。在所有開關穩(wěn)壓器中，應盡可能優(yōu)化EMC。一個用于實現此的基本規(guī)則是，以最小化寄生電感中的各自的熱循環(huán)。
在一個降壓轉換器，該路徑之間的輸入電容器和所述高側開關，所述高側開關和低側開關和所述低壓側開關之間的連接之間的連接和輸入電容器，是的一部分熱循環(huán)。它們是電流路徑，電流以開關轉換的速度變化。通過該快速電流變化，電壓經由寄生電感和可耦合到不同的電路段作為偏移形式的干擾。
因此，熱回路中的這些寄生電感必須保持盡可能低。圖2示出了各熱回路（紅色）的一個路徑單片式開關穩(wěn)壓上左側和一個控制器溶液上的權利。我們可以看到有兩個優(yōu)點的單片SOLU重刑。
2.給出了單片式開關調節(jié)器（左）和帶有控制器IC的解決方案（右）的熱回路的幾何布置。
首先，熱循環(huán)小于控制器的熱循環(huán)。其次，之間的連接路徑的高側開關和低側開關是非常短的并且只排到于硅。在比較，對于用溶液的控制器IC，該連接的電流路徑必須通過寄生路由電感的的包裝，通常與寄生電感從接合線和引線框架。這將導致一個更高的電壓偏移，并符合ingly，較差的EMC 行為。
結果，單片開關穩(wěn)壓器在EMI方面提供了另一個鮮為人知的優(yōu)勢。這種干擾有多高以及如何影響電路取決于許多其他參數。但是，單片開關穩(wěn)壓器與帶有控制器IC的解決方案在EMC行為方面有所不同的基本思想值得考慮。